1 Análise das Causas de Danos no Processador
Danos ao processador integrado da placa principal é um problema que deve ser considerado no processo de uso da placa central para desenvolvimento secundário. Inclui principalmente (mas não se limita a) as seguintes situações:
(1) Periféricos hot-swap ou módulos externos com a alimentação ligada, causando danos ao processador integrado da placa principal.
(2) Ao usar objetos de metal durante o processo de depuração, o IO será afetado por estresse elétrico devido ao toque falso, resultando em danos ao IO, ou tocar em alguns componentes da placa causará um curto-circuito instantâneo no aterramento, causando circuitos relacionados e placas de núcleo. Processador danificado.
(3) Use os dedos para tocar diretamente nas almofadas ou pinos do chip durante o processo de depuração, e a eletricidade estática do corpo humano pode danificar o processador integrado da placa principal.
(4) Existem locais não razoáveis no projeto da placa de base feita pelo próprio, como incompatibilidade de nível, corrente de carga excessiva, superação ou superação, etc., que podem causar danos ao processador integrado da placa principal.
(5) Durante o processo de depuração, há depuração da fiação da interface periférica. A fiação está errada ou a outra extremidade da fiação está no ar quando toca em outros materiais condutores e a fiação IO está errada. Ele é danificado por estresse elétrico, resultando em danos ao processador integrado da placa principal.
2 Análise das Causas de Danos de E/S do Processador
(1) Após o processador IO sofrer um curto-circuito com uma fonte de alimentação superior a 5 V, o processador aquece de forma anormal e é danificado.
(2) Execute uma descarga de contato de ±8KV no IO do processador e o processador será danificado instantaneamente.
Use a engrenagem on-off do multímetro para medir as portas do processador que foram curto-circuitadas pela fonte de alimentação de 5 V e danificadas por ESD. Verificou-se que o IO estava em curto com o GND do processador, e o domínio de energia relacionado ao IO também estava em curto com o GND.